擬3.1億元投建分立器件產業化基地一期廠房 銀河微電加速擴產
來源:證券時報網作者:葉玲珍2025-07-11 19:43

7月11日晚間,銀河微電(688689)發布公告,公司擬以自有資金3.1億元投資實施“高端集成電路分立器件產業化基地一期廠房建設項目”,旨在提升公司集成電路分立器件產品的生產加工能力,擴大生產規模。

公告顯示,本次投資資金來源為公司自有資金或自籌資金,建設周期30個月,計劃通過購置土地及開展廠房土建工程,為后續高端集成電路分立器件產業化基地建設奠定基礎。

作為國內領先的半導體分立器件制造商,銀河微電主要產品包括小信號器件、功率器件、光電器件、電源管理IC及第三代半導體(SiC、GaN)器件,產品廣泛應用于汽車電子、消費電子、工業控制、新能源及5G通信等領域。

近年來,受益于下游需求的強勁驅動,我國半導體分立器件行業市場規模持續擴大,業內企業相繼收獲紅利。2022年至2024年,銀河微電營業收入分別為6.76億元、6.95億元、9.09億元,呈逐年上升態勢。公司表示,受生產場地、設備及人力資源的限制,當前產能已難以滿足日益增長的市場需求,本次推進相關半導體分立器件產能規模擴張,可促進業務發展,進一步提升盈利水平。

目前,硅材料平臺仍然是主流的半導體分立器件工藝平臺,并將在未來相當一段時間內占據主要市場,但新的半導體材料,如SiC、GaN工藝平臺正在逐步走向成熟,并在新能源汽車、光伏逆變器等場景的應用占比顯著提升。

2024年,公司適時優化產品結構,重點提升MOS產品、TVS及穩壓管產品的銷售占比,推動產銷量穩步增長,特別是在車規級半導體器件產業化項目方面,客戶拓展取得顯著突破。與此同時,進一步推進光電器件及IGBT器件擴產,加大對新增設備投入。

為搶抓市場機遇,銀河微電持續加快高端產品研發及產業化進度。目前,公司初步具備SiC MOSFET及GaN HEMT芯片設計能力,并且實現了小批量應用。

值得一提的是,在新產業布局方面,銀河微電“車規級半導體器件產業化”項目進入產能爬坡階段,產品涵蓋IGBT、SiC MOSFET等,獲得多家車企供應鏈認證,聚焦新能源汽車的電機控制、車載充電系統及ADAS領域,滿足AEC-Q101等國際車規標準,逐步替代英飛凌、安森美等海外廠商的中高端市場份額。 同時,光電耦合器及 LED產品已應用于工業自動化、醫療設備等領域, 并與多家客戶合作,開發高精度傳感器及電源管理模塊。

對于2025年經營計劃,銀河微電表示將圍繞大客戶、大產品、大業務展開,進一步豐富功率器件產品種類,提升公司優勢產品的產能,提高產品檔次,同時通過精準營銷策略,培植新的增長點,提升大產品的市場競爭力。

責任編輯: 臧曉松
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